89年度
1.研製II-VI、III-V、IV族量子結構。
2.量測並分析II-VI、III-V、IV族量子結構之物理特性。
3.研究鉻（Cr）奈米薄膜結構及物性理論。
4.研究新穎RNi2C之電磁特性理論。
5.研究不同厚度之R1-xMxMnO3單層薄膜，YBa2Cu3Oy/R1-xMxMnO3雙層及多層薄膜，R = Nd，M = Sr等元素。
6.測量R1-xMxMnO3薄膜在磁場下之角相依縱向、橫向電阻率及磁化率，以了解反常Hall係數之物理機制。
7.成長原子尺度平整的合金超薄膜（Co-Ni系統），瞭解合金成分對於晶體結構與鐵磁性的影響。
8.用脈衝雷射蒸鍍法製作新的奈米材料，並研究其電性、磁性、及光學性質。
9.支援化學系之合作計畫。
10.支援凝態中心之合作計畫。
11.支援電機系材料所合作之奈米材料研究。

90年度
1.氮化物材料與元件之成長與特性分析。
2.II-VI族量子點之成長、特性與應用。
3.奈米傳輸之研究。
4.光晶體之成長與特性分析。
5.脈衝雷射成長薄膜。
6.奈米超導薄膜研究。
7.奈米磁性薄膜成長與特性分析。
8.奈米物性之理論研究。

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預期成果

89年度
1.成長新穎II-VI、III-V、IV族奈米材料，並了解其物性及可能用途。
2.成長新穎之SiCN奈米材料並了解其物性及應用之潛力。
3.理解鉻奈米薄膜之物性。
4.理解新穎材料RNi2C之物性。
5.了解單層Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜電子傳輸之物理。
6.了解多層YBa2Cu3Oy/Nd0.7Sr0.3Mn O3薄膜之層間耦合及維度特性。
7.理解合金成分對於薄膜生長模式與磁易軸之影響。
8.開發出具有特殊電性、磁性、或光學性質的新奈米材料。
9.加強物理系和其它相關系、所、中心間之研究的交流與合作。

90年度
1.成長新穎II-VI、III-V、IV族奈米材料，並了解其物性及可能用途。
2.理解鉻奈米之物性。
3.理解新穎材料Rni2C之物性。
4.了解單層Nd0.7Sr0.3MnO3薄膜電子傳輸之物理。
5.了解多層YBa2Cu3Oy/Nd0.7Sr0.3MnO3 薄膜。
6.理解合金成分對於薄膜生長模式與磁易軸之影響。
7.開發出具有特殊電性、磁性、或光學性質的新奈米材料。
8.成長光晶體並了解其特性。
9.成長ZnO之三元合金並了解其特性。
10.加強物理系和其他相關系、所、中心間之研究的交流與合作。

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